А Б В Г Д Е Є Ж З І Ї Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ю Я
Кристалізація - сплав
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках проис ходить аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діа грами першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділ ня кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ещ (утворення кристалів сполуки. Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кр-псталлов з'єднання.
Діаграма стану системи Mg-РЬ. Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що, крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Кристалізація сплавів, що лежать за складом між точками Е і С (наприклад, сплав рр), почнеться, як билс сказано раніше, з утворення аустеніту. У процесі кристалізації склад як рідкої, так і твердої фази буде безперервно змінюватися. Це положення справедливо для будь-якого сплаву, що знаходиться між точками Я і С; для різних сплавів буде змінюватися тільки кількісне співвідношення між аустенітом граничної концентрації і рідким сплавом евтектичного складу. На лінії солидус ECF з рідини евтектичного складу будуть викристалізовуватися аустенит і цементит, утворюючи евтектичну суміш. Таким чином, кристалізація всіх сплавів, що лежать між точками Е і С, починається з освіти кристалів аустеніту, а закінчується утворенням евтектики - ледебуриту. Аналогічно відбувається і кристалізація сплавів, що містять більше 443% С, з тією відмінністю, що кристалізація починається з освіти цементиту (лінії DC); рідка ж фаза при охолодженні до лінії солидус прийме евтектичних склад і перетвориться в евтектики. отже, всі сплави, що лежать між точками Е і F, закінчують кристалізацію утворенням евтектики, тому частина лінії солидус ECF називається евтектичною лінією.
Кристалізація сплавів цієї системи протікає досить різноманітно, в залежності від складу вихідного розплаву.
Кристалізація сплавів таких систем закінчується утворенням евтектики за участю кон-груентного з'єднання.
Кристалізація сплавів цієї системи протікає досить різноманітно, в залежності від складу вихідного розплаву. Так, напри-мер, яз розплаву, що відповідає точці а (рис. 228), при кристалізації в якості першої фази випадають кристали потрійного силікату Na2O 2СаО 3SiO2 склад розплаву змінюється вздовж прямої, що з'єднує точку а з точкою, що відповідає складу з'єднання Na2O 2СаО 3S1O2 ; в точці перетину цієї прямої з лінією подвійний евтектики ОК з'являється нова фаза - дісілікат натрію і при подальшому охолодженні одночасно виділяються кристали силікату Na2O 2СаО 3SiO2 і дісілікат натрію. У точці N з'єднання Na2O 2CaO 3SiO2 має ресорбіроваться в девітріт і далі виділяються девітріт і дісілікат натрію.
Кристалізація сплавів має вибірковий характер. В першу чергу на осях П і III порядку твердне чистіший метал, а кордони зерен і проміжки між головними гілками виявляються більш збагаченими домішками. У сталях більшою мірою ликвации схильні вуглець, сірка і фосфор.
Кристалізація сплаву /протікає в такий чином. Остання являє собою механічну суміш дрібних кристалів компонентів А і В, одночасно виділяються з рідкої фази.
Кристалізація сплаву //починається з виділення первинних кристалів компонента В, в результаті чого зміст його в рідкій фазі буде зменшуватися.
Кристалізація сплаву //характеризується тим, що до кінця перитектического перетворення одночасно зникнуть тверда і рідка фази і утворюються кристали Y-Fe (C), що містять 018% вуглецю.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках проис ходить аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність постоїть в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Кристалізація сплавів В - /1 Д починається при температурах, відповідних лінії ликвидус ale.
Криві охолодження і схеми мікроструктур характерних сплавів двох металів, що володіють обмеженою взаємною розчинністю. Кристалізація сплаву з рідкого розчину (див. Рис. 34 б) починається з випадання кристалів твердого розчину ос. У процесі кристалізації випадають кристали аь в яких більше металу А, ніж в середньому міститься в розчині. Розчин насичується металом В.
Діаграма стану магнію і олова, що утворюють хімічну сполуку Mg Sn. Кристалізація сплаву //починається в точці b з випадання кристалів а-розчину складу точки С.
Кристалізація сплавів, розташованих лівіше точки Elt починається з випадання твердого розчину олова в магнії. Нижче лінії LE структура сплавів складається з кристалів твердого розчину олова в магнії і евтектики. У кристалах твердого розчину внаслідок зменшення розчинності олова при зниженні температури спостерігаються включення олова.
Мікроструктура хімічної сполуки (Mg2Si. Кристалізація сплавів по цій діаграмі протікає абсолютно аналогічно кристалізації сплавів по діаграмі стану першого типу (див. Рис. 21), тому детально вона тут не розглядається.
Типи діаграм стану з інконгруентно кристалізуються сполуками. | Розташування бінодальной кривої щодо ликвидуса на діаграмі стану подвійної системи. Кристалізація сплавів в цьому випадку протікає звичайним порядком і не залежить від наявності розриву суцільності, що є нерівновагим процесом.
Діаграма стану простого евтектичного типу з обмеженою розчинністю компонентів в рідкому стані. Кристалізація сплавів, що лежать лівіше точки F на діаграмі стану, має порядок, характерний для систем простого евтектичного типу.
Кристалізація сплавів в системі залежить від їх складу.
Проекція діаграми плавкості потрійної системи простого евтектичного типу з одним потрійним з'єднанням на трикутник складу. Кристалізація сплавів в потрійній системі з одним конгруентно плавиться з'єднанням потрійного складу протікає за описаним раніше порядку. Коли сплав знаходиться всередині контуру ЕгЕ'Е3 як первинного виділення спостерігається кристалізація хімічної сполуки S. Шлях кристалізації пролягає до однієї з подвійних евтектичних ліній, що проходять між потрійними евтектичними точками.
Кристалізація сплавів, що лежать в інших частинах системи, протікає по вже відомим нам закономірностям.
Кристалізація сплавів в системах такого типу відбувається за розглянутими раніше шляхах і закінчується в потрійних евтектичних точках.
кристалізація сплавів в системах цього типу закінчується утворенням однієї або двох твердих фаз. Порядок кристалізації сплавів цього типу видно з малюнка і не потребує докладного опису.
Діаграма плавкості четверний системи з необмеженими твердими розчинами в чотирьох подвійних системах і обмеженими в інших. Кристалізація сплавів в гетерогенної області закінчується утворенням твердих розчинів, збагачених одним з компонентів. В даному випадку з розплаву кристалізуються тверді розчини, збагачені компонентами В і С.
Розташування четверні нонваріантних точок щодо перетину тетраедра, що проходить через фігуративну точку подвійного з'єднання. Кристалізація сплавів в системі, в якій є четверная евтектична точка, закінчується в цій точці. При охолодженні системи спочатку відбувається виділення кристалів компонента D. Шлях кристалізації проходить по променю перетину його з поверхнею двунасищенія в точці тг.
діаграма плавкості четверний системи з конгруентно плавиться з'єднанням четверного складу. Кристалізація сплавів, склад яких знаходиться всередині порожнини, утвореної поверхнями двунасищенія, починається з виділення кристалів хімічної сполуки і закінчується в одній з четверні евтектичних точок, саме в четверний евтектичною точці тієї системи, до якої належить склад вихідної суміші.
Кристалізація сплавів, склад яких відповідає лінії cd, починається з виділення з рідкої фази кристалів р-твер-дого розчину.
Кристалізація сплаву в ливарній формі відбувається під впливом великої кількості факторів: хімічного складу розплаву, швидкості його охолодження, наявності штучних добавок і домішок в розплаві, властивостей ливарної форми і стрижнів. Процес структуро-освіти - кристалізація протікає в два етапи.
Кристалізація сплавів, склад яких лежить між точками Р і 7 в, представляє деякі особливості.
діаграма стану системи Сі-Ni і мікроструктури меднонікелевих сплавів. Кристалізація сплавів починається з випадання з рідкого розчину кристалів твердого розчину. Склад рідкої фази при зниженні температури змінюється по лінії ликвидус, склад твердої фази - по лінії солидус. У момент закінчення процесу кристалізації (при достатній швидкості дифузії) концентрація твердого розчину стає рівною вихідної концентрації металу.
Кристалізація сплавів, що містять 4 3 - 667% С, починається з лінії CD з виділенням з рідкого розплаву первинного цементиту. У міру випадання з рідкого розплаву первинного цементиту рідка фаза збіднюється вуглецем. Після досягнення лінії ECF залишився розплав набуває евтектичних складу (4 3% С) і твердне при 1130 С. В результаті остаточно затвердів сплав нижче лінії ECF складається з первинного цементиту і ледебуриту.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що, крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Кристалізація сплавів, що містять до 0 5% вуглецю, починається при охолодженні до температур, відповідних лінії АВ.
Залежність швидкості затвердіння VK від k і швидкості зварювання усп. Кристалізація сплавів здійснюється в інтервалі температур, який визначається положенням ліній ліквідусу і солідусу, в якому рідка і тверда фаза можуть перебувати в рівновазі один з одним.
Кристалізація сплавів з вмістом до 0 5% З починається (при переохолодженні рідини нижче АВ) з виділення кристалів б-розчину. При переохолодженні сплаву нижче цієї лінії стає можливим перитектичне перетворення: за рахунок бога тієї вуглецем рідини і виділилися маловуглецевих кристалів б-розчину утворюються кристали у розчину з проміжним вмістом вуглецю.
Кристалізація сплавів по цій діаграмі відбувається абсолютно аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють механічну суміш кристалів чистих компонентів. Відмінність полягає лише в тому, що, крім виділення кристалів чистих компонентів Л і В, відбувається ще освіту кристалів хімічної сполуки.
Кристалізація сплавів, склад яких відповідає лінії cd, починається з виділення кристалів р-твердого розчину.
Кристалізація сплавів по цій діаграмі відбувається абсолютно аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють механічну суміш кристалів чистих компонентів. Відмінність полягає лише в тому, що, крім виділення кристалів чистих компонентів А і В, відбувається ще освіту кристалів хімічної сполуки Таким чином, діаграма з хімічною сполукою є хіба приставлені одна до одної дві іростиедіаграмми. Можна розділити таку діаграму на дві частини по вертикалі, що відповідає хімічній сполуці, і вивчати кожну частину діаграми окремо.
Кристалізація сплаву, ордината якого позначена цифрою 2 на рис. 21 починається так само з виділення а-кристалів, як і в попередньому випадку. До кінця його виявляються перетвореними одночасно вага; а-кристали і вся рідина. Сплав після перетворення представляє однорідний р-твердий розчин. При подальшому охолодженні - твердий розчин розпадається з виділенням а-кристалів.
Кристалізація сплавів значно відрізняється від кристалізації чистих металів.
Кристалізація сплаву з концентрацією вуглецю 4 3% відбувається при постійній температурі 1130 С.
Кристалізація сплавів, що містять вуглець 0 8 - 214% у верхній частині діаграми, протікає аналогічно кристалізації сплаву, що містить вуглець 0 8%, але перетворення аустеніту починаються при більш високих температурах, відповідних лінії SE. Після досягнення цими сплавами температур, лежачих на лінії SE, З аустеніту починає виділятися цементит, в зв'язку з чим аустеніт бідніє вуглецем і при температурі 727 С відбувається утворення перліту. Структура цих сплавів складається з перліту і цементиту.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Діаграма стану.
Кристалізація сплавів по цій діаграмі відбувається абсолютно аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють механічну суміш кристалів чистих компонентів. Відмінність полягає лише в тому, що, крім виділення кристалів чистих компонентів А і В, відбувається ще освіту кристалів хімічної сполуки.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кр-псталлов з'єднання.
Діаграма стану системи Mg-РЬ. Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що, крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Кристалізація сплавів, що лежать за складом між точками Е і С (наприклад, сплав рр), почнеться, як билс сказано раніше, з утворення аустеніту. У процесі кристалізації склад як рідкої, так і твердої фази буде безперервно змінюватися. Це положення справедливо для будь-якого сплаву, що знаходиться між точками Я і С; для різних сплавів буде змінюватися тільки кількісне співвідношення між аустенітом граничної концентрації і рідким сплавом евтектичного складу. На лінії солидус ECF з рідини евтектичного складу будуть викристалізовуватися аустенит і цементит, утворюючи евтектичну суміш. Таким чином, кристалізація всіх сплавів, що лежать між точками Е і С, починається з освіти кристалів аустеніту, а закінчується утворенням евтектики - ледебуриту. Аналогічно відбувається і кристалізація сплавів, що містять більше 443% С, з тією відмінністю, що кристалізація починається з освіти цементиту (лінії DC); рідка ж фаза при охолодженні до лінії солидус прийме евтектичних склад і перетвориться в евтектики. отже, всі сплави, що лежать між точками Е і F, закінчують кристалізацію утворенням евтектики, тому частина лінії солидус ECF називається евтектичною лінією.
Кристалізація сплавів цієї системи протікає досить різноманітно, в залежності від складу вихідного розплаву.
Кристалізація сплавів таких систем закінчується утворенням евтектики за участю кон-груентного з'єднання.
Кристалізація сплавів цієї системи протікає досить різноманітно, в залежності від складу вихідного розплаву. Так, напри-мер, яз розплаву, що відповідає точці а (рис. 228), при кристалізації в якості першої фази випадають кристали потрійного силікату Na2O 2СаО 3SiO2 склад розплаву змінюється вздовж прямої, що з'єднує точку а з точкою, що відповідає складу з'єднання Na2O 2СаО 3S1O2 ; в точці перетину цієї прямої з лінією подвійний евтектики ОК з'являється нова фаза - дісілікат натрію і при подальшому охолодженні одночасно виділяються кристали силікату Na2O 2СаО 3SiO2 і дісілікат натрію. У точці N з'єднання Na2O 2CaO 3SiO2 має ресорбіроваться в девітріт і далі виділяються девітріт і дісілікат натрію.
Кристалізація сплавів має вибірковий характер. В першу чергу на осях П і III порядку твердне чистіший метал, а кордони зерен і проміжки між головними гілками виявляються більш збагаченими домішками. У сталях більшою мірою ликвации схильні вуглець, сірка і фосфор.
Кристалізація сплаву /протікає в такий чином. Остання являє собою механічну суміш дрібних кристалів компонентів А і В, одночасно виділяються з рідкої фази.
Кристалізація сплаву //починається з виділення первинних кристалів компонента В, в результаті чого зміст його в рідкій фазі буде зменшуватися.
Кристалізація сплаву //характеризується тим, що до кінця перитектического перетворення одночасно зникнуть тверда і рідка фази і утворюються кристали Y-Fe (C), що містять 018% вуглецю.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках проис ходить аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність постоїть в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Кристалізація сплавів В - /1 Д починається при температурах, відповідних лінії ликвидус ale.
Криві охолодження і схеми мікроструктур характерних сплавів двох металів, що володіють обмеженою взаємною розчинністю. Кристалізація сплаву з рідкого розчину (див. Рис. 34 б) починається з випадання кристалів твердого розчину ос. У процесі кристалізації випадають кристали аь в яких більше металу А, ніж в середньому міститься в розчині. Розчин насичується металом В.
Діаграма стану магнію і олова, що утворюють хімічну сполуку Mg Sn. Кристалізація сплаву //починається в точці b з випадання кристалів а-розчину складу точки С.
Кристалізація сплавів, розташованих лівіше точки Elt починається з випадання твердого розчину олова в магнії. Нижче лінії LE структура сплавів складається з кристалів твердого розчину олова в магнії і евтектики. У кристалах твердого розчину внаслідок зменшення розчинності олова при зниженні температури спостерігаються включення олова.
Мікроструктура хімічної сполуки (Mg2Si. Кристалізація сплавів по цій діаграмі протікає абсолютно аналогічно кристалізації сплавів по діаграмі стану першого типу (див. Рис. 21), тому детально вона тут не розглядається.
Типи діаграм стану з інконгруентно кристалізуються сполуками. | Розташування бінодальной кривої щодо ликвидуса на діаграмі стану подвійної системи. Кристалізація сплавів в цьому випадку протікає звичайним порядком і не залежить від наявності розриву суцільності, що є нерівновагим процесом.
Діаграма стану простого евтектичного типу з обмеженою розчинністю компонентів в рідкому стані. Кристалізація сплавів, що лежать лівіше точки F на діаграмі стану, має порядок, характерний для систем простого евтектичного типу.
Кристалізація сплавів в системі залежить від їх складу.
Проекція діаграми плавкості потрійної системи простого евтектичного типу з одним потрійним з'єднанням на трикутник складу. Кристалізація сплавів в потрійній системі з одним конгруентно плавиться з'єднанням потрійного складу протікає за описаним раніше порядку. Коли сплав знаходиться всередині контуру ЕгЕ'Е3 як первинного виділення спостерігається кристалізація хімічної сполуки S. Шлях кристалізації пролягає до однієї з подвійних евтектичних ліній, що проходять між потрійними евтектичними точками.
Кристалізація сплавів, що лежать в інших частинах системи, протікає по вже відомим нам закономірностям.
Кристалізація сплавів в системах такого типу відбувається за розглянутими раніше шляхах і закінчується в потрійних евтектичних точках.
кристалізація сплавів в системах цього типу закінчується утворенням однієї або двох твердих фаз. Порядок кристалізації сплавів цього типу видно з малюнка і не потребує докладного опису.
Діаграма плавкості четверний системи з необмеженими твердими розчинами в чотирьох подвійних системах і обмеженими в інших. Кристалізація сплавів в гетерогенної області закінчується утворенням твердих розчинів, збагачених одним з компонентів. В даному випадку з розплаву кристалізуються тверді розчини, збагачені компонентами В і С.
Розташування четверні нонваріантних точок щодо перетину тетраедра, що проходить через фігуративну точку подвійного з'єднання. Кристалізація сплавів в системі, в якій є четверная евтектична точка, закінчується в цій точці. При охолодженні системи спочатку відбувається виділення кристалів компонента D. Шлях кристалізації проходить по променю перетину його з поверхнею двунасищенія в точці тг.
діаграма плавкості четверний системи з конгруентно плавиться з'єднанням четверного складу. Кристалізація сплавів, склад яких знаходиться всередині порожнини, утвореної поверхнями двунасищенія, починається з виділення кристалів хімічної сполуки і закінчується в одній з четверні евтектичних точок, саме в четверний евтектичною точці тієї системи, до якої належить склад вихідної суміші.
Кристалізація сплавів, склад яких відповідає лінії cd, починається з виділення з рідкої фази кристалів р-твер-дого розчину.
Кристалізація сплаву в ливарній формі відбувається під впливом великої кількості факторів: хімічного складу розплаву, швидкості його охолодження, наявності штучних добавок і домішок в розплаві, властивостей ливарної форми і стрижнів. Процес структуро-освіти - кристалізація протікає в два етапи.
Кристалізація сплавів, склад яких лежить між точками Р і 7 в, представляє деякі особливості.
діаграма стану системи Сі-Ni і мікроструктури меднонікелевих сплавів. Кристалізація сплавів починається з випадання з рідкого розчину кристалів твердого розчину. Склад рідкої фази при зниженні температури змінюється по лінії ликвидус, склад твердої фази - по лінії солидус. У момент закінчення процесу кристалізації (при достатній швидкості дифузії) концентрація твердого розчину стає рівною вихідної концентрації металу.
Кристалізація сплавів, що містять 4 3 - 667% С, починається з лінії CD з виділенням з рідкого розплаву первинного цементиту. У міру випадання з рідкого розплаву первинного цементиту рідка фаза збіднюється вуглецем. Після досягнення лінії ECF залишився розплав набуває евтектичних складу (4 3% С) і твердне при 1130 С. В результаті остаточно затвердів сплав нижче лінії ECF складається з первинного цементиту і ледебуриту.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що, крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Кристалізація сплавів, що містять до 0 5% вуглецю, починається при охолодженні до температур, відповідних лінії АВ.
Залежність швидкості затвердіння VK від k і швидкості зварювання усп. Кристалізація сплавів здійснюється в інтервалі температур, який визначається положенням ліній ліквідусу і солідусу, в якому рідка і тверда фаза можуть перебувати в рівновазі один з одним.
Кристалізація сплавів з вмістом до 0 5% З починається (при переохолодженні рідини нижче АВ) з виділення кристалів б-розчину. При переохолодженні сплаву нижче цієї лінії стає можливим перитектичне перетворення: за рахунок бога тієї вуглецем рідини і виділилися маловуглецевих кристалів б-розчину утворюються кристали у розчину з проміжним вмістом вуглецю.
Кристалізація сплавів по цій діаграмі відбувається абсолютно аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють механічну суміш кристалів чистих компонентів. Відмінність полягає лише в тому, що, крім виділення кристалів чистих компонентів Л і В, відбувається ще освіту кристалів хімічної сполуки.
Кристалізація сплавів, склад яких відповідає лінії cd, починається з виділення кристалів р-твердого розчину.
Кристалізація сплавів по цій діаграмі відбувається абсолютно аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють механічну суміш кристалів чистих компонентів. Відмінність полягає лише в тому, що, крім виділення кристалів чистих компонентів А і В, відбувається ще освіту кристалів хімічної сполуки Таким чином, діаграма з хімічною сполукою є хіба приставлені одна до одної дві іростиедіаграмми. Можна розділити таку діаграму на дві частини по вертикалі, що відповідає хімічній сполуці, і вивчати кожну частину діаграми окремо.
Кристалізація сплаву, ордината якого позначена цифрою 2 на рис. 21 починається так само з виділення а-кристалів, як і в попередньому випадку. До кінця його виявляються перетвореними одночасно вага; а-кристали і вся рідина. Сплав після перетворення представляє однорідний р-твердий розчин. При подальшому охолодженні - твердий розчин розпадається з виділенням а-кристалів.
Кристалізація сплавів значно відрізняється від кристалізації чистих металів.
Кристалізація сплаву з концентрацією вуглецю 4 3% відбувається при постійній температурі 1130 С.
Кристалізація сплавів, що містять вуглець 0 8 - 214% у верхній частині діаграми, протікає аналогічно кристалізації сплаву, що містить вуглець 0 8%, але перетворення аустеніту починаються при більш високих температурах, відповідних лінії SE. Після досягнення цими сплавами температур, лежачих на лінії SE, З аустеніту починає виділятися цементит, в зв'язку з чим аустеніт бідніє вуглецем і при температурі 727 С відбувається утворення перліту. Структура цих сплавів складається з перліту і цементиту.
Кристалізація сплавів в цьому і в подібних випадках відбувається аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють діаграми першого типу. Відмінність полягає в тому, що крім виділення кристалів індивідуальних компонентів, відбувається ще освіту кристалів сполуки. Так, якщо охолоджувати рідкий сплав, який містить 40% РЬ (60% Mg), то з нього спочатку будуть виділятися кристали магнію.
Діаграма стану.
Кристалізація сплавів по цій діаграмі відбувається абсолютно аналогічно кристалізації сплавів, що утворюють механічну суміш кристалів чистих компонентів. Відмінність полягає лише в тому, що, крім виділення кристалів чистих компонентів А і В, відбувається ще освіту кристалів хімічної сполуки.