А Б В Г Д Е Є Ж З І Ї Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ю Я
Матеріал - контактна маска
Матеріал контактної маски (мідь, алюміній, нікель, окис вісмуту, фоторезист) повинен витримувати процес нанесення тонкої плівки, не випаровуючись і не взаємодіючи з осаджувати матеріалом, володіти малим коефіцієнтомдифузії, легко віддалятися з підкладки способами, що не впливають на властивості матеріалу тонкої плівки.
Матеріал контактної маски (мідь, алюміній, нікель, окис вісмуту, фоторезист) повинен витримувати умови нанесення матеріалу тонкої плівки, не випаровуючись і невзаємодіючи хімічно з цим матеріалом, володіти малим коефіцієнтом дифузія, легко віддалятися з підкладки способами, що не впливають на властивості матеріалу тонкої плівки. В залежності від матеріалу контактної маски існують два різновиди цього методу. Даліобробкою отриманої заготовки в розчиннику для фоторезиста видаляють ділянки матеріалів тонкої плівки, що лежать на шарі фоторезиста.
В залежності від матеріалу контактної маски існують два різновиди цього методу. Сутність першого (прямий варіант)полягає в тому, що на чисту підкладку наносять шар фоторезиста, експонують і проявляють його, а на отримане рельєфне зображення наносять суцільний шар матеріалу тонкоплівкового елементу.
Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (прямий варіант. | Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (непрямий варіант. ІМС; б - суцільний шар матеріалу контактної маски; в - нанесення негативного фоторезисту; г - експонування; д - прояв; е - травлення або розчинення відкритихділянок матеріалу контактної маски; е - готова контактна маска на підкладці; із - нанесення шару матеріалу тонкоплеіочного елемента; та - готовий тонкоплівковий елемент на підкладці; /- підкладка; 1 - матеріал контактної маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напиленийматеріал.
Другий (непрямий) варіант полягає в тому, що на підкладку для мікросхеми наносять суцільний шар матеріалу контактної маски і за допомогою звичайного фотолітографічного процесу отримують необхідну конфігурацію маски. Далі видаляють фоторезист і напідкладку з контактної маскою наносять шар матеріалу тонкоплівкового елементу. При подальшій обробці в протруювачами, селективному по відношенню до максірую-щему матеріалу, останній витравляється, і матеріал тонкоплівкового елементу, що лежить над ним, відривається відпідкладки.
Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (прямий варіант. | Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (непрямий варіант. ІМС; б - суцільний шар матеріалу контактної маски; в - нанесеннянегативного фоторезисту; г - експонування; д - прояв; е - травлення або розчинення відкритих ділянок матеріалу контактної маски; е - готова контактна маска на підкладці; із - нанесення шару матеріалу тонкоплеіочного елемента; та - готовий тонкоплівковий елемент напідкладці; /- підкладка; 1 - матеріал контактної маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напилений матеріал.
Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (прямий варіант. | Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (непрямий варіант. ІМС; б - суцільний шар матеріалу контактної маски; в - нанесення негативного фоторезисту; г - експонування; д - прояв; е - травлення або розчинення відкритих ділянок матеріалу контактної маски; е - готова контактна маска на підкладці; із - нанесення шару матеріалу тонкоплеіочного елемента; та - готовий тонкоплівковий елемент на підкладці; /- підкладка; 1 - матеріал контактної маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напилений матеріал.
Матеріал контактної маски (мідь, алюміній, нікель, окис вісмуту, фоторезист) повинен витримувати умови нанесення матеріалу тонкої плівки, не випаровуючись і не взаємодіючи хімічно з цим матеріалом, володіти малим коефіцієнтом дифузія, легко віддалятися з підкладки способами, що не впливають на властивості матеріалу тонкої плівки. Залежно від матеріалу контактної маски існують два різновиди цього методу. Далі обробкою отриманої заготовки в розчиннику для фоторезиста видаляють ділянки матеріалів тонкої плівки, що лежать на шарі фоторезиста.
Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою фоторезистивной маски. | Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою металевої маски. Наступний етап - напилення плівки необхідного матеріалу 3 який осідає на відкриті частини підкладки і маску. При опусканні підкладки до складу з травителем матеріал контактної маски розчиняється і одночасно видаляється нанесена на ньому плівка напилюваного матеріалу мікросхеми. Оскільки для розчинення матеріалу контактної маски потрібні слабкі травители, то підкладка не руйнується. Цей метод дає чіткі і різкі краї малюнка 4 схеми внаслідок відсутності зазору між маскою і підкладкою.
Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою фоторезистивной маски. | Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою металевої маски. Наступний етап - напилення плівки необхідного матеріалу 3 який осідає на відкриті частини підкладки і маску. При опусканні підкладки до складу з травителем матеріал контактної маски розчиняється і одночасно видаляється нанесена на ньому плівка напилюваного матеріалу мікросхеми. Оскільки для розчинення матеріалу контактної маски потрібні слабкі травители, то підкладка не руйнується. Цей метод дає чіткі і різкі краї малюнка 4 схеми внаслідок відсутності зазору між маскою і підкладкою.
Матеріал контактної маски (мідь, алюміній, нікель, окис вісмуту, фоторезист) повинен витримувати умови нанесення матеріалу тонкої плівки, не випаровуючись і невзаємодіючи хімічно з цим матеріалом, володіти малим коефіцієнтом дифузія, легко віддалятися з підкладки способами, що не впливають на властивості матеріалу тонкої плівки. В залежності від матеріалу контактної маски існують два різновиди цього методу. Даліобробкою отриманої заготовки в розчиннику для фоторезиста видаляють ділянки матеріалів тонкої плівки, що лежать на шарі фоторезиста.
В залежності від матеріалу контактної маски існують два різновиди цього методу. Сутність першого (прямий варіант)полягає в тому, що на чисту підкладку наносять шар фоторезиста, експонують і проявляють його, а на отримане рельєфне зображення наносять суцільний шар матеріалу тонкоплівкового елементу.
Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (прямий варіант. | Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (непрямий варіант. ІМС; б - суцільний шар матеріалу контактної маски; в - нанесення негативного фоторезисту; г - експонування; д - прояв; е - травлення або розчинення відкритихділянок матеріалу контактної маски; е - готова контактна маска на підкладці; із - нанесення шару матеріалу тонкоплеіочного елемента; та - готовий тонкоплівковий елемент на підкладці; /- підкладка; 1 - матеріал контактної маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напиленийматеріал.
Другий (непрямий) варіант полягає в тому, що на підкладку для мікросхеми наносять суцільний шар матеріалу контактної маски і за допомогою звичайного фотолітографічного процесу отримують необхідну конфігурацію маски. Далі видаляють фоторезист і напідкладку з контактної маскою наносять шар матеріалу тонкоплівкового елементу. При подальшій обробці в протруювачами, селективному по відношенню до максірую-щему матеріалу, останній витравляється, і матеріал тонкоплівкового елементу, що лежить над ним, відривається відпідкладки.
Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (прямий варіант. | Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (непрямий варіант. ІМС; б - суцільний шар матеріалу контактної маски; в - нанесеннянегативного фоторезисту; г - експонування; д - прояв; е - травлення або розчинення відкритих ділянок матеріалу контактної маски; е - готова контактна маска на підкладці; із - нанесення шару матеріалу тонкоплеіочного елемента; та - готовий тонкоплівковий елемент напідкладці; /- підкладка; 1 - матеріал контактної маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напилений матеріал.
Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (прямий варіант. | Схема отримання тонкоплівкових елементів із застосуванням контактної маски (непрямий варіант. ІМС; б - суцільний шар матеріалу контактної маски; в - нанесення негативного фоторезисту; г - експонування; д - прояв; е - травлення або розчинення відкритих ділянок матеріалу контактної маски; е - готова контактна маска на підкладці; із - нанесення шару матеріалу тонкоплеіочного елемента; та - готовий тонкоплівковий елемент на підкладці; /- підкладка; 1 - матеріал контактної маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напилений матеріал.
Матеріал контактної маски (мідь, алюміній, нікель, окис вісмуту, фоторезист) повинен витримувати умови нанесення матеріалу тонкої плівки, не випаровуючись і не взаємодіючи хімічно з цим матеріалом, володіти малим коефіцієнтом дифузія, легко віддалятися з підкладки способами, що не впливають на властивості матеріалу тонкої плівки. Залежно від матеріалу контактної маски існують два різновиди цього методу. Далі обробкою отриманої заготовки в розчиннику для фоторезиста видаляють ділянки матеріалів тонкої плівки, що лежать на шарі фоторезиста.
Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою фоторезистивной маски. | Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою металевої маски. Наступний етап - напилення плівки необхідного матеріалу 3 який осідає на відкриті частини підкладки і маску. При опусканні підкладки до складу з травителем матеріал контактної маски розчиняється і одночасно видаляється нанесена на ньому плівка напилюваного матеріалу мікросхеми. Оскільки для розчинення матеріалу контактної маски потрібні слабкі травители, то підкладка не руйнується. Цей метод дає чіткі і різкі краї малюнка 4 схеми внаслідок відсутності зазору між маскою і підкладкою.
Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою фоторезистивной маски. | Послідовність отримання тонкоплівкового елементу за допомогою металевої маски. Наступний етап - напилення плівки необхідного матеріалу 3 який осідає на відкриті частини підкладки і маску. При опусканні підкладки до складу з травителем матеріал контактної маски розчиняється і одночасно видаляється нанесена на ньому плівка напилюваного матеріалу мікросхеми. Оскільки для розчинення матеріалу контактної маски потрібні слабкі травители, то підкладка не руйнується. Цей метод дає чіткі і різкі краї малюнка 4 схеми внаслідок відсутності зазору між маскою і підкладкою.