А   Б  В  Г  Д  Е  Є  Ж  З  І  Ї  Й  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Ю  Я 


Вибір - матеріал - провідник

Вибір матеріалу провідників проводиться одночасно з вибором матеріалу підкладки з урахуванням адгезії провідника до підкладки.

При виборі матеріалу провідника враховують його сумісність з керамікою і електричну провідність.

При виборі матеріалу провідника враховують його сумісність е керамікою і електричну провідність.

Залежність собст-кої добротності від частоти лінії передачі. | Залежність хвильового сопротивле - ОКИСУ ЛЮМІНА. Чи не. При виборі матеріалу провідників СВЧ-ІМС в першу чергу беруть до уваги їх опір на високій частоті адгезію до підкладки і коефіцієнт термічного розширення.

Залежність втрат від частоти лінії передачі. | Залежність соб. При виборі матеріалів провідників СВЧ-ІМС в першу чергу беруть до уваги їх опір на високій частоті адгезію до підкладки і коефіцієнт термічного розширення.

Нижче розглядаються основні критерії, що визначають вибір матеріалу провідників і контактних майданчиків.

Знання тільки питомої опору матеріалу недостатньо для вибору матеріалу провідника. Необхідно враховувати вплив різних чинників на величину питомого опору провідника. Найбільше практичне значення має вплив температури.

Параметри магнітопрівода. Однак якщо маса і потужність однаково важливі тоді вибір матеріалу провідника магнітопрівода повинен бути по мінімуму твори потужності на масу.

Тут, як і в раніше розглянутих випадках, при виборі матеріалу провідника необхідно враховувати суперечливі вимоги. З одного боку, матеріал провідного шару повинен по можливості легко взаємодіяти з реактивами, використовуваними для його травлення. З іншого боку, з точки зору стабільності параметрів мікросхеми в процесі її експлуатації, взаємодія матеріалів провідників (а також резисторів, конденсаторів) з утворюються на поверхні мікросхеми слабкими розчинами кислот і лугів явно небажано через можливість хімічної корозії і поверхневої міграції іонів різнорідних матеріалів. Особливо велика небезпека поверхневої міграції під дією постійної напруги, що використовуються в мікросхемах, яка призводить до обривів і Закорочування провідників.

Використання тих чи інших ізоляційних матеріалів і методів їх нанесення в технології багатошарової комунікації залежить від вибору матеріалу і товщини провідників верхнього і нижнього шарів. При виборі матеріалу провідників в поєднанні з відповідним діелектриком слід враховувати ефекти термо - і електродифузія, які можуть мати місце під час роботи схеми. Крім того, слід брати до уваги технологічну сумісність матеріалів і процесів.

Тепло, яке надходить в криогенну систему по провідникам від датчиків температури, датчиків рівня рідини або нагрівачів, також може бути розрахована за формулою (2 - 49) після підстановки в неї відповідних параметрів провідників. У загальному випадку теплові притоки від таких джерел можуть бути зведені до мінімуму за допомогою ретельного підбору матеріалу провідників, використання проводів мінімального можливого діаметра і відповідної термічної обробки провідника. Остання обставина найбільш важливо для даггчіков температури, які встановлюються в кріогенних системах, так какнаіболее часто зустрічається в таких системах помилка пов'язана з неможливістю підтримки у чутливого елемента такої ж температури, яку має об'єкт вимірювання, через перетоків тепла по провідникам. Одночасно з ростом розмірів надпровідних магнітів і кабелів посилюються вимагати до Токоподвода гелієвих термостатів. Просте співвідношення (2 - 49) стає непридатним, так як при оптимізації провідників необхідно брати до уваги джоулево тепло. В цьому випадку провідник повинен мати досить великий поперечний переріз, щоб зменшити омічний нагрів, і в той же час досить мале, щоб обмежити ч гплопроводность. Йому вдалося показати, що вибір матеріалу провідника грає менш значну роль, ніж оптимізація його розмірів. Теоретичні результати оптимізації показують, що стік тепла від мідних провідників у ванну з рідким гелієм в широкому діапазоні залишкових значень питомого електроопору міді становить близько 1 2 мВт /А при оптимальній силі струму, коли теплий кінець провідника підтримується при кімнатній температурі.