А   Б  В  Г  Д  Е  Є  Ж  З  І  Ї  Й  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Ю  Я 


Формування - заряд

Формування зарядів на діелектричній поверхні носія може здійснюватися стрижнями матриці або електродами, на поверхні яких є опуклі букви, цифри або знаки.

Фізичні умови генерування і накопичення зарядів статичної електрики. а - абсорбційний шар. б - подвійний електричний шар. в - поляризований шар. Встановлено, що формування заряду статичної електрики на поділюваних поверхнях нафти, нафтопродуктів, газу повністю виключити неможливо.

Електрети класифікують насамперед за способом формування зарядів.

Експериментальні залежності коефіцієнта посилення Г (Г ос Im. Sf від просторової частоти К, отримані в для ФРК СОТ при різних амплітудах знакозмінного поля. Система рівнянь (4.5) - (4.7), що описує формування фо-тоіндуцірованного заряду в ФРК, повинна бути доповнена граничними умовами. У розділі 4.1 ця система вирішувалася при циклічних граничних умовах, які вимагають, щоб рішення були представлені періодичними функціями з періодом, рівним періоду записується решітки.

Для того щоб продемонструвати основні особливості процесу формування заряду в ФРК, пов'язані з контактними явищами, будемо вважати, що кристал має повністю блокують електроди, коли електроди инжектируются в кристалах, але вільно переходять з кристала в електрод. Як буде показано в розділі 7.1 основні результати, отримані тут для випадку однорідного освітлення, можуть бути застосовані при розгляді процесу запису зображення в фоторефрактивних ПВМС.

Неважко припустити, чго перехід електронів від металу до діелектрика і формування заряду між ними будуть визначатися не тільки міцністю зв'язку електрона з кристалом, яка близька у різних металів, а й концентрацією їх на поверхні металу. Як видно з табл. 2.6 щільності енергій когезии (отже, і електронів) у різних металів розрізняються досить істотно. Спостерігається закономірність дозволяє припустити, що чим вище щільність енергій металу, тим більше різниця тисків електронного газу між контактуючими поверхнями і тим значніше заряд, що забезпечує міцність адгезійного зв'язку.

Зміна дифракційної ефективності з часом при візуалізації прихованого зображення сі-лусоідальной решітки в кристалі BSO. Було показано, що нелінійні спотворення запису зображень в ПВМС ПРИЗ визначаються нелінійністю процесу формування фотоіндукованого заряду. У режимі запису прихованих зображень формування заряду відбувається під дією проявляє засвічення після закінчення запису і може контролюватися. Це дозволяє записувати, відтворювати без нелінійних спотворень зображення у великому діапазоні експозицій. Крім того, в деяких зразках модуляторів спостерігалося прояв зображень через час, що перевищує 10 хв після впливу записуючого світла. Це дозволяє помітно збільшити час зберігання і накопичення інформації в ПВМС ПРИЗ в порівнянні зі звичайним режимом.

Енергетична неоднорідність поверхні частинок, дисперсної фази обумовлює і електричну неоднорідність, що виникає при формуванні заряду поверхні в результаті дисоціації мив або адсорбції маслорастворімих іонообразующіх речовин.

Експериментальні залежності коефіцієнта посилення Г (Г ос Im. Sf від просторової частоти К, отримані в для ФРК СОТ при різних амплітудах знакозмінного поля. Одна з таких ситуацій виникає, коли ФРК застосовуються в ПВМС, де кордону кристала роблять сильний вплив на формування фотоіндукованого заряду. Циклічні умови тут не застосовні.

Припущення, висловлене в роботі[4]про визначальну роль процесу переходу іонів Саа з кристалічної решітки в розчин у формуванні заряду на поверхні кальцитів, є правильним.
  Було показано, що нелінійні спотворення запису зображень в ПВМС ПРИЗ визначаються нелінійністю процесу формування фотоіндукованого заряду. У режимі запису прихованих зображень формування заряду відбувається під дією проявляє засвічення після закінчення запису і може контролюватися. Це дозволяє записувати, відтворювати без нелінійних спотворень зображення у великому діапазоні експозицій. Крім того, в деяких зразках модуляторів спостерігалося прояв зображень через час, що перевищує 10 хв після впливу записуючого світла. Це дозволяє помітно збільшити час зберігання і накопичення інформації в ПВМС ПРИЗ в порівнянні зі звичайним режимом.

Такі колоїди називають амфолітоідамі. Характер дисоціації амфоліт-тоідов і схема формування заряду в залежності від рН розглядають в курсі хімії. При дуже кислих умовах деякі мінерали цієї групи можуть нести позитивний заряд. Негативний заряд у деяких амфолітоі-дов при рН 8 може досягати 20 - 40 м-екв. Аморфні форми мінералів можуть відігравати значну роль у формуванні сорбційних і колоїдних властивостей ґрунтів, покриваючи плівками кристалічні мінерали.

Розрахунки показують, що наведені вище параметри близькі до теоретично граничним для модуляторів на основі кристалів з даною величиною електрооптичного ефекту і діелектричної проникністю. Це визначається високою ефективністю процесів формування фотоіндукованого заряду в кристалі BSO, обумовленою високою квантової ефективністю і великою довжиною дрейфу електронів. Крім того, важливо, що в ПВМС ПРИЗ використовується поперечний електрооптичний ефект, який забезпечує найбільш ефективну модуляцію зчитувального світла при об'ємному фотоіндукованих заряді. Низький рівень шумів модулятора багато в чому визначається технологічністю вирощування кристалів типу BSO і простотою конструкції ПВМС ПРИЗ. Все це дозволяє вважати ПРИЗ одним з найбільш перспективних ПВМС для систем когерентно-оптичної обробки інформації.

Вирішення цього завдання пов'язане не тільки з математичними труднощами, але і з фізичними. Фізичною основою повинна бути теорія формування заряду поверхонь і знаходження з її допомогою значення потенціалу дифузійної частини подвійного шару. Труднощі тут полягає в необхідності зшивати рівняння, що описує хід потенціалу в щільній і дифузійної частинах подвійного шару. Завдання, як побачимо, може спрощуватися, якщо ми знаємо, що безрозмірні потенціали у обох поверхонь дуже великі або у однієї поверхні великий безрозмірний потенціал, а в іншої поверхні заряд дорівнює нулю.

У[8.56]показано, що фактором, що зменшує роздільну здатність модулятора ПРИЗ з ВОП, є расфокусировка зображення в обсязі ФРК. Така расфокусировка відбувається за рахунок того, що записує світло, виходячи з ВОП, утворює конус променів, що має кут при вершині в кілька десятків градусів. При великих робочих напругах, поданих для запису на електроди ПВМС, товщина шару кристала, в якому відбувається формування фотоіндуцированної ваного заряду, досягає десятків і навіть сотень мікрометрів. Тому расфокусировка зображення, яке записується виявляється дуже істотною. Як видно з рис. 815 зі зменшенням напруги роздільна здатність модулятора збільшується. Це пов'язано, зокрема, зі зменшенням товщини фотоіндуціро-ванного заряду, що веде до ослаблення впливу расфокусировки яке записується.

При висвітленні кристала записуючим світлом електрони збуджуються з донорних рівнів в зону провідності. Після цього частина їх захоплюється в пастки, які перед записом звільняються за рахунок попереднього освітлення модулятора червоним світлом. Оскільки зовнішнє поле під час впливу записуючого світла не прикладається, просторове перерозподіл електронів, що знаходяться в зоні провідності, можливо тільки за рахунок дифузії. Однак дифузний механізм формування заряду при запису зображення з низькими просторовими частотами значно поступається за ефективністю дрейфовому.

Передбачалося, що контакт електрод-кристал є неоміческім і обмежує инжекцию електронів в кристал. З цим пов'язані суттєві особливості механізму записи в ФРК при їх використанні в ПВСм. Ми розглянемо, як динаміка формування заряду впливає на амплітуду модуляції світла тобто матимемо справу з випадком неоднорідного освітлення записуючим світлом.

Транспортування ВВ, здійснюване на відстань до 100 м, проводиться за спеціальними напівпровідний поліетиленовим шлангах, що запобігає накопиченню зарядів статичної електрики. Зарядчик ЗП-2 обладнаний змочувальним пристроєм, що забезпечує дозовану подачу до 6% води від маси дози в зарядний шланг. При цьому знижується винос часток вибухових від зарядних шпуру і поліпшуються умови формування заряду.

Зміни структури дисперсних систем в електричних полях в залежності від електричного заряду дисперсної фази. У вуглеводневих дисперсних системах під дією електричних полів виникають різноманітні явища. Це обумовлено, по-перше, можливістю створення сильних електричних полів внаслідок низької електропровідності дисперсійного середовища, по-друге, особливостями будови поверхневого шару. Зокрема, товщина подвійного електричного шару в вуглеводневих середовищах на два-три порядки більше, ніж у водних середовищах, що обумовлює його високу деформованість. На поверхні гідрофільних фаз в вуглеводневих середовищах, як правило, утворюються гідратів шари, ігракщіе важливу роль, як було показано в поляризації дисперсних систем і формуванні заряду. Нарешті, вуглеводнева середовище створює сприятливі умови для виникнення електричної неоднорідності поверхні.