А   Б  В  Г  Д  Е  Є  Ж  З  І  Ї  Й  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Ю  Я 


Розглянута осередок

Розглянута комірка складається з феритових сердечників і діодів, тому називається магнітодіодний. Вона може бути використана, зокрема, в розподільниках імпульсів пристроїв телемеханіки. Знаходять також застосування магнітотранзісторние осередки, які об'єднують феромагнітні елементи і транзистори.

Найбільш зручні для термост-тування розглянутої осередку термостати типу Хеплер (наприклад, U-10 U-3), що випускаються в НДР.

Незважаючи на певні відмінності в структурах розглянутих осередків, всі вони засновані на одному і тому ж принципі роботи. У закритому стані ключа зовнішнє поле зосереджено в епітаксіальної рр-області стоку.

Диодная осередок,, м Ці осередки мають найменший в порівнянні з раніше розглянутими осередками число опорів.

Ці осередки мають найменший в порівнянні з раніше розглянутими осередками число резисторів. При розрахунку осередків не потрібно враховувати опір навантаження RH, так як він тут відсутня - діод підключається до підсумовує точці вирішального підсилювача.

Електронна структура центру KC1 - TI в моделі Крея (енергія в еВ. У табл. 5.1 наведені енергії локальних рівнів примесного катіона Т1 розташованих нижче верхньої валентної зони (стан Iflig) і в забороненій зоні (2alg); наведені розрахований заряд на атомі Т1 ( 7тО для всіх розглянутих осередків і число базисних функцій, використаних в розрахунках відповідних квазімолекул.

Необхідно зауважити, що імпульси струму управління в такій комірці пам'яті не перевищують 30 мА для переміщення ЦМД на відстань, рівну трьом діаметрам, за час 100 ні. Розглянута осередок пам'яті легко реалізує матрицю накопичувача ОЗУ.

Крім розглянутої осередки в сучасних системах ДТЛ зустрічається і кілька удосконалених варіантів.

BX абсолютне значення сили струму 1Л, що протікає через діод, зменшується і при (ПВЗ /вх i поч діод закривається. на противагу розглянутим осередкам, що носить назву осередків типу А, зазначені комірки називають осередками типу В.

Поведінка гіпотетичної осередку під час електролізу. Підтримується постійний потенціал - 2 3 В. опір комірки 050 Ом. площа кожного електрода 100 см2. вихідна концентрація Си20100 г-іон /л. Величина перенапруги також зменшиться, оскільки воно залежить від щільності струму. На рис. 19 - 2 показано зміна сили струму, перенапруги і величини IR в розглянутої осередку. Через кілька хвилин після початку електролізу ток швидко зменшується, досягаючи практично нуля до моменту закінчення електролізу.

Схема ЗЕ статичного ЗУПВ на транзисторах МДП-типу з роздільними ланцюгами запису і зчитування інформації (а і тимчасові діаграми його роботи в режимах зберігання, запису та зчитування інформації (б. Істотне споживання потужності відбувається тільки в режимах перемикання і обумовлюється перезарядом паразитних ємностей схеми. Процеси запису та зчитування інформації в такій комірці якісно збігаються з процесами запису й зчитування інформації в раніше розглянутій осередку.

Але якщо енергія взаємодії частинок 1 і 3 (5pli 3) менше kT, то можливо тільки розширення системи, при якому ЗП2 збільшується. отже, при ЕП1 з kT рівновагу системи без додаткового зовнішнього стиснення неможливо. при 5п1 з kT переважає кінетична енергія частинок, що. Таким чином, розглянута осередок без зовнішніх стискають сил може бути або в твердому, або в газоподібному стані. Цим, зокрема , пояснюється та обставина, що в вакуумі при слабкому гравітаційному полі малі обсяги речовини не можуть існувати в рідкому стані.