А   Б  В  Г  Д  Е  Є  Ж  З  І  Ї  Й  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Ю  Я 


Випробування - напівпровідниковий прилад

Випробування напівпровідникових приладів проводиться на універсальних вимірювальних приладах збірної спеціальної схеми, а також на випробувача ІПП-1. Останній значно прискорює процес випробування і дає більшу точність. Основним параметром, що визначає відсутність пробою між емітером і колектором, а також між базою і колектором, є початковий струм колектора /кн - По параметру /до можна судити про витоки струму. 
Випробування напівпровідникових приладів проводять відповідно до технічних вимог на ці прилади.

Випробування напівпровідникових приладів проводяться відповідно до технічних вимог на ці прилади. Розрізняють такі види технічних вимог: вимоги до конструкції приладів (конструктивні); електричні; механічні; кліматичні.

Для випробування напівпровідникових приладів на відсутність коротких замикань і обривів висновків використовується блок індикації дефектів 3 який є самостійним пристроєм і в комплект ударно-вібраційного стенду не входить.

Для випробування напівпровідникових приладів на вплив підвищених і знижених температур використовують установки тепла і холоду. Для прикладу розглянемо установку КТХ-0015-65 /155 (рис. 139), що забезпечує підвищення до 155 С або зниження до - 65 С температури в робочому обсязі камери при автоматичному або ручному управлінні. Точність підтримки і нерівномірність розподілу температури в робочому обсязі не перевищує 2 С. Час нагріву до робочої температури 155 С становить 30 хв, а час охолодження до температури - 65 С - 45 хв. Установка складається з термокамери 2 комутаційної вставки /і автоматичної фреонової двоступеневої холодильної машини 3 (ФДС-0 ЗА) з пультом управління.

Для випробувань напівпровідникових приладів при заданій вологості застосовують камери тепла і вологи.

Як класифікуються випробування напівпровідникових приладів.

Електричний режим випробування напівпровідникових приладів задається в залежності від типу приладу і встановлюється, в основному, виходячи з оптимальних умов виявлення дефектів в процесі випробування. При виявленні резонансних частот або частот, на яких спостерігається нестабільність режиму, проводиться додаткове випробування на цих частотах протягом 15 хв.

Операції вимірювання і випробування напівпровідникових приладів є одними з основних у виробничому процесі. На них зайнято близько третини загального числа працівників напівпровідникового виробництва.

Крім описаних установок для випробування напівпровідникових приладів на вплив підвищеної і зниженої температури відомі й інші наприклад установка КТБ-0015-155 призначена для роздільного або одночасного випробування напівпровідникових приладів на вплив підвищеної температури і зниженого тиску. Випробування напівпровідникових приладів на стійкість до циклічних змін температури виконують в звичайних установках тепла і холоду.

Камеру холоду ТТМ 2950000 застосовують для випробування напівпровідникових приладів на вплив негативних температур з виміром деяких параметрів приладів і без їх виміру. Як хладоагента застосовують рідкий азот, який, випаровуючись, створює в робочому об'ємі камери негативну температуру - 60 С.

Камера тепла і вологи призначена для випробувань напівпровідникових приладів (або інших виробів) на теплостійкість і вологостійкість одночасно або окремо. У камері є електровводи, що дозволяють при необхідності відчувати напівпровідникові прилади в електричному режимі і знімати необхідні характеристики в процесі випробувань.

Фотон має виробничу базу для виготовлення та випробування напівпровідникових приладів, а також машинобудівним комплексом, оснащеним найсучаснішим обладнанням.

У книзі детально викладаються методи і операції настройки і випробування напівпровідникових приладів. Містяться відомості про радіодеталях, вимірювальних приладах і схемах, які необхідні для більш глибокого розуміння операцій настройки і випробування. Книга коротко знайомить читачів з методами отримання р-п переходів і технологічним процесом виробництва напівпровідникових приладів. Крім того, в ній наведено відомості про вакуумної гігієни, техніки безпеки, а також про організацію праці на підприємствах напівпровідникової промисловості.

Ударна установка СУ-1 (рис. 132 а), призначена для випробування напівпровідникових приладів на вплив ударних навантажень, складається з ударного стенда, пульта управління і харчування, а також електрометричного каскаду і пьезодатчика ІДК-2М. Принцип дії стенду заснований на вільному падінні столу з випробовуються виробами і раптовому уповільнення його руху.

Для контролю якості і надійності продукції, що випускається на виробництві застосовують різного роду випробування напівпровідникових приладів.

В даний час розробляються методи використання[139]електронних променів для автоматичного виготовлення і випробування напівпровідникових приладів.

Особливу увагу приділено опису схем вимірювальних пристроїв і технологічних прийомів при вимірах і випробуваннях напівпровідникових приладів. Третє видання доповнене матеріалами про нові напівпровідникових приладах і вимірі їх параметрів, а також про деякі нових технологічних операціях при виробництві напівпровідникових приладів. Книга призначена як підручник для підготовки вимірників і випробувачів напівпровідникових приладів в технічних училищах.

У підготовці книги брав участь великий колектив авторів, що складається з фахівців, що працюють в області створення, застосування і випробувань напівпровідникових приладів. У розділі сьомий § 7.1 написаний І. Г. Бергельсон і В. І. Минцем, § 7.2 - В. В. Мокряковим і Б. Л. Перельманом, § 7.3 - В.

У книзі розглянуті: основні технологічні процеси напівпровідникового виробництва; різні види механічної, хімічної і електрохімічної обробки, виготовлення фотошаблонів і процеси фотолитографии, процеси епітаксії, дифузії, термічного випаровування в вакуумі; методи захисту поверхні структур, збірка і герметизація приладів, типи корпусів, методи вимірювання параметрів та випробування напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем.

Крім описаних установок для випробування напівпровідникових приладів на вплив підвищеної і зниженої температури відомі й інші наприклад установка КТБ-0015-155 призначена для роздільного або одночасного випробування напівпровідникових приладів на вплив підвищеної температури і зниженого тиску. Випробування напівпровідникових приладів на стійкість до циклічних змін температури виконують в звичайних установках тепла і холоду.

Камера підвищеного тиску типу ЖК7603. Дане випробування проводиться з метою перевірки працездатності напівпровідникових приладів в умовах підвищеного тиску навколишнього середовища. Режим випробування напівпровідникових приладів передбачає підвищений тиск до 3 ата при нормальній температурі. Електричне навантаження на прилади не подається, за винятком тих випадків, коли технічними умовами спеціально обмовляється її необхідність. Витримка приладів при підвищеному тиску здійснюється протягом 15 хв, В деяких випадках витримка триває до 2 год. Після витримки в камері підвищеного тиску проводиться вимірювання електричних параметрів.

Система автоматичного регулювання вологості в камері працює наступним чином. Рухомий контакт сухого термометра, службовця для контролю і автоматичної підтримки температури в камері встановлюється на задану вологість для випробувань напівпровідникових приладів в камері а рухливий контакт мокрого термометра - на температуру, взяту по психрометричні таблиці відповідну заданій відносній вологості.

Сучасні напівпровідникові прилади в силу дії фізичних процесів, які лежать в основі їх роботи, дуже чутливі до перевантажень по струму і напрузі. В першу чергу це відноситься до приладів малої потужності. Тому при вимірах і випробуваннях напівпровідникових приладів необхідно вживати заходів для їх захисту від пошкоджень. Зокрема, з цієї причини не слід застосовувати пайку приладів при ввімкненій напрузі харчування вимірювальної установки. Треба уникати такого включення транзисторів, коли базовий висновок залишається вільним, що призводить до різкого збільшення струму колектора і може вивести прилад із ладу.

Для захисту від статичної електрики застосовують такі заходи. При транспортуванні всередині виробничих приміщень гнучкі висновки малопотужних приладів злегка скручують між собою або об'єднують загальним металевим хомутиком. Металеві частини паяльників, використовуваних при роботі з приладами, з'єднують гнучким плетеним провідником із заземленим кожухом, вимірювального обладнання або столом. Оператор, зайнятий вимірами і випробуваннями напівпровідникових приладів (особливо тунельних діодів і польових транзисторів), повинен одягати на руку спеціальний заземлюючий браслет. Він являє собою шкіряний ремінець, на якому розташована металева пластинка, щільно прилегла до руки при затягуванні ремінця. Платівка з'єднується гнучким плетеним провідником ззаземленою частиною обладнання. Брати напівпровідниковий прилад і встановлювати його в контактна пристосування треба рукою, на якій є браслет.