А   Б  В  Г  Д  Е  Є  Ж  З  І  Ї  Й  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Ю  Я 


Зразкова ємність

Зразкова ємність не повинна змінюватися з часом і в залежності від зовнішніх умов. Крім того, конденсатор повинен мати невеликий кут втрат, що характеризує споживання енергії діелектриком.

Зразкові ємностіпідрозділяються на зразкові конденсатори постійної ємності, що виконуються у вигляді окремих конденсаторів або магазинів ємностей, і зразкові конденсатори змінної ємності.

Вимірювання індуктивності методом резонансу і заміщення. Якщо зразкова ємність С,постійна, то резонанс здійснюють шляхом зміни настройки генератора.

Вимірювання індуктивності методом резонансу і заміщення. Якщо зразкова ємність С3 постійна, то резонанс здійснюють шляхом зміни настройки генератора.

Значення зразковоюємності Ct і С2 зчитують зі шкали ку-метра.

Застосовуючи замість зразкових опорів зразкові ємності, можна аналогічним способом вимірювати величини активних опорів.

Схема вимірювання загасання неузгодженості методом неврівноваженого моста ззастосуванням схеми порівняння. Після цього еквівалентний опір зразкових ємностей Зі і резисторів Ro моста стає рівним Zj. Потім до входу Zx моста підключають опір навантаження Z2 і рівновага моста порушується. Вихідна напруга в діагоналіневрівноваженого моста одно.

Послідовно з котушкою А включена зразкова ємність Со, послідовно з котушкою В-вимірювана ємність Сх. Котушки логометра з послідовно включеними ємностями С0 і Сх утворюють дві паралельні гілки, що знаходяться піднапругою U мережі змінного струму. По кожній з гілок тече струм, рівний напрузі U, поділеній на загальний опір мережі.

Послідовно з котушкою А включена зразкова ємність С0 послідовно з котушкою В - вимірювана ємність Сх. Котушки логометра зпослідовно включеними ємностями С0 і С утворюють дві паралельні гілки, що знаходяться під напругою і мережі змінного струму. По кожній з гілок тече струм, рівний напрузі U, поділеній на загальний опір гілки.

Основні вимоги, що пред'являються дозразковим емкостям, наступні: стабільність номінальної ємності - у разі конденсаторів постійної ємності або стабільність градуювання - у випадку зразкових конденсаторів змінної ємності; можливо менша залежність величини зразковою ємності від змінтемператури і можливо менші активні втрати. Цим вимогам практично задовольняють конденсатори з повітряним діелектриком місткістю не більше приблизно 0002 мкф.

Основні вимоги, пропоновані до зразковим емкостям, наступні: стабільність номінальноїємності - у разі конденсаторів постійної ємності або стабільність градуювання - у випадку зразкових конденсаторів змінної ємності; можливо менша залежність величини зразковою ємності від змін температури і можливо менші активні втрати. Цимвимогам практично задовольняють конденсатори з повітряним діелектриком місткістю не більше приблизно 0002 мкф.

Мости для вимірювання індуктивності з зразковою ємкістю мають кращу збіжність, ніж мости з зразковою індуктивністю.

Електричнасхема ВЕБ. Визначення вологості проводиться по зменшенню величини зразковою ємності С0 для відновлення резонансу у вимірювальному контурі, в якому знаходиться ємнісний перетворювач з пробою.

Контур частотоміра налаштовують в резонанс зміноюзразковою ємності С. Момент резонансу визначають по максимальному (максимум-максіморум) показанню електронного вольтметра змінного струму з великим вхідним опором і малою вхідною ємністю, яка враховується при градуюванні конденсатора С.

Вимірюванняємності й індуктивності здійснюють порівнянням їх із зразковою ємкістю, вбудованої в міст.

Приклад схеми радіочастотного моста для вимірювання активного опору конденсатора. Видозмінивши зразкове плече (наприклад, вилучивши з нього зразкову ємність), можназа допомогою моста вимірювати активні опори, в тому числі активний опір контуру. При вимірюванні останнього досліджуваний контур включається в плече Z, як послідовний контур, і настроюється в резонанс з частотою генератора.

Приклад схемирадіочастотного моста для вимірювання активного опору конденсатора. Видозмінивши зразкове плече (наприклад, вилучивши з нього зразкову ємність), можна за допомогою моста вимірювати активні опори, в тому числі активний опір контуру. При виміріостаннього досліджуваний контур включається в плече Zx, як послідовний контур, і настроюється в резонанс з частотою генератора.

Зразкова індуктивність для частот до 1 мггц. | Зразкові індуктивності на керамічних тороїда. Зазначені причини пояснюють,чому в області радіовимірювань застосовують майже виключно зразкові ємності і опору.

Схема вимірюв -, ренію ємності балістичним методом. | Схема вимірювання ємності методом порівняння. Ємність конденсатора можна виміряти балістичним методом, якщомається магазин зразкових ємностей.

Схема вимірювання ємностей методом порівняння. | Схема моста змінного струму.

У схемі на рис. 18 - 32 вимірювана ємність Сх і зразкова ємність С0 порівнюються за величиною їх опору змінному струму.

Схемавимірювання. | Схема вимірювання ємності ме-тодом порівняння. Ємність конденсатора d можна виміряти балістичним методом, якщо мається магазин зразкових ємностей СЗТ.

Блок-схема приладу Е9 - 4. За аналогічною схемою виконаний інший вольтметр Q, що вимірює напругу назразковою ємності вимірювального контуру і проградуйований в значеннях добротності.

Схема вимірювання ємності балістичним методом. Ємність конденсатора Сх можна виміряти балістичним методом, якщо мається магазин зразкові ємностей Сет.

Найпростішасхема моста змінного струму для вимірювання ємності шляхом порівнювання з зразковою ємкістю показана на рис. 12.14. Тут Ci Cx - вимірювана, а С0 - зразкова ємності і Г2 Г4 - зразкові активні опори плечей моста. Наведена схема придатна для вимірювання ємностейповітряних конденсаторів, коли кути втрат 6 конденсаторів Сх і С0 дуже малі.

Схема моста для вимірювання індуктивності. U - джерело струму. Г - гальванометр. /7], /. 2 /. з - омические опору. С3 - зразкова ємкість. L - вимірювана індуктивність. | Схема вимірюванняіндуктивності методом резонансу. ГВЧ - генератор ВЧ. io - витки зв'язку. ix - вимірювана індуктивність. Ск - власна ємність котушки. Се - зразкова ємкість. ЛВ - ламповий вольтметр. У резонансних І.І. використовуються резонансні св-ва коливального контуру, утвореноговимірюваної індуктивністю Lx і зразковою ємкістю Се в бруківці І.І. осн.

Один із екранованих мостів (рис. 4 - 2) зібраний за схемою послідовного включення зразковою ємності і опору. Завдяки додатковим екранам фіксується значення і характервключення паразитної ємності.

Схема моста для. Вимірювання індуктивності методом моста може бути виконано як за допомогою зразковою індуктивності, так і зразковою ємності. Однак зразкові ємності використовуються, як зазначалося вище, в практиці радіовимірюваньнабагато частіше, ніж зразкові індуктивності.

Іноді в радіотехнічних вимірах, а також при перевірці градуювання деяких радіовимірювальних приладів доводиться користуватися зразковими ємностями, індуктивностями і опорами.

Схема вимірюванняіндуктивності методом резонансу подібна схемі, зображеній на рис. 9.37. Вимірювана котушка Lx і зразкова ємність Се утворюють коливальний контур, який пов'язують з генератором високої частоти, налаштованим на ту частоту, при якій бажано провести вимірювання.

Принцип дії схеми: використовується резонансний метод, настройка в резонанс з допомогою вбудованої в прилад зразковою ємності.

В зв'язку - з цим до електричних і механічних властивостях матеріалів, використовуваних для виготовлення конденсаторів зразковоюємності, пред'являються підвищені вимоги.

Схема вологоміра ВЕБ. Крім згаданих конденсаторів, анодний контур містить конденсатор С4 для заводської настройки і гнізда Г для підключення зразковою ємності або датчика іншого типу. Живлення приладуздійснюється від мережі змінного струму через випрямляч (лампа Л) і стабілізований трансформатор Тр. Передбачена також можливість живлення приладу від джерел постійного струму, підключених до штепсельної колодки; для цієї мети перемикач Я (службовецьодночасно і вимикачем живлення) переводиться в нижнє положення.

Схема вологоміра ВЕБ. Крім згаданих конденсаторів, анодний контур містить конденсатор С4 для заводської настройки і гнізда Г для підключення зразковою ємності або датчика іншого типу.Живлення приладу здійснюється від мережі змінного струму через випрямляч (лампа Л) і стабілізований трансформатор Тр.

Схема моста для. Якщо опору Rl і R2 задані, то рівновага моста досягається регулюванням величин зразкового опору R3 ізразковою ємності Се, які в цьому випадку повинні бути змінними.

У разі вимірювання невеликих ємностей (приблизно до 1000 пф) заміщення можна виробляти, приєднуючи вимірювану ємність паралельно зразковою ємності Се.

Схема зразкової установки дляповірки густиномірів газу в робочих умовах. Принцип дії зразкових мірників для повірки витратомірів і лічильників рідини полягає у вимірюванні з заданою точністю за допомогою зразковою ємності відомого об'єму рідини, що пройшла через Вивірений лічильник.

До зажимів 3 - 4 (див. рис. 3.45), паралельно С0 підключають досліджуваний конденсатор і зменшенням зразковою ємності контур знову налаштовують в резонанс при тій же частоті.

Конденсатор типуP534 (мал.) з підставкою типуP535 призначений для застосування в схемахзмінного струму в якості зразковою ємності з двухзажімним способом включення.

До зажимів 3 - 4 (рис. 7.19), паралельно С0 підключають досліджуваний конденсатор, і зменшенням зразковою ємності контур знову налаштовують в резонанс при тій же частоті.

Конденсатор типуP534 (мал.) з підставкою типуP535 призначений для застосування в схемах змінного струму в якості зразковою ємності з двухзажімним способом включення.

Тому при деяких вимірах завдяки певній залежності між різними параметрами відповідних ланцюгів (наприклад, в мостових схемах) замість зразкових індуктивностей використовують зразкові ємності.

Схема вимірювання методом резонансу і заміщення. Тому точки С2 С3 так само як і інші точки характеристики CX (W), можна відтворити тільки електричними еталонами - зразковими ємностями (або комплексними опорами), вводяться в вимірювальну ланцюг для налаштування або ловеркі. Можна здійснювати настройку і по інших точках (по електричним еталонам); такі настройки менш надійні, ніж по порожньому датчику.

Міст змінного - ока (ч і міст для вимірювань значень ємностей (6. На рис. 7.20 б зображена схема моста змінного струму для вимірів значень ємностей, в якій Сх - вимірювана ємність, С0 - відома зразкова ємкість, г2 і ге - зразкові регульовані резистори.

Міст змінного струму (я і міст для вимірювань значень ємностей (6. На рис. 7.206 зображена схема моста змінного струму для вимірів знамень ємностей, в якій С, - вимірювана ємність, С0 - відома зразкова ємкість, г2 і г3 - зразкові регульовані резистори.

Залежно від вибору зразкових мір існуючі методи вимірювання великих опорів можуть бути розділені на методи, засновані на порівнянні вимірюваного резистора з мірою опору; методи з використанням в якості міри зразковою ємності, розряджається за певний проміжок часу через вимірюваний опір , і методи, в яких зразковим елементом є міра малого постійного струму.

Основні вимоги, пропоновані до зразковим емкостям, наступні: стабільність номінальної ємності - у разі конденсаторів постійної ємності або стабільність градуювання - у випадку зразкових конденсаторів змінної ємності; можливо менша залежність величини зразковою ємності від змін температури і можливо менші активні втрати. Цим вимогам практично задовольняють конденсатори з повітряним діелектриком місткістю не більше приблизно 0002 мкф.