А   Б  В  Г  Д  Е  Є  Ж  З  І  Ї  Й  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Ю  Я 


Область - рекомбінація

Область рекомбінації, фактично займає весь об'єм бази, схематично представлена ​​на рис. 2.14 а у вигляді пунктирного гуртка.

У екснтонном лазері повна енергія, що вивільняється при рекомбінації екснтона, розділяєтьсяміж світловим квантом з енергією ftv і фотоном з енергією /ГУфотон. Тому енергії світлового кванта недостатньо, щоб знову утворився екситон, і процеси реабсорбції (перепоглощенія неможливі. Генерація відбувається в області рекомбінації[Я.

Значения р, /, р и а для QaAs диффузионных диодов при Т 80 К. Как уже отмечалось[628], Диференційнийвнутрішній квантовий вихід генерації визначається в основному неоднорідністю області рекомбінації і насамперед плямистої структурою ближнього поля. Дослідження показують, що в результаті термообробки зменшується щільність дислокацій поблизу р - переходу.Ближнє поле стає більш однорідним, і генерують деякі нові ділянки активної області, які не генерували до термообробки.

Зображення ділянки сонячного елемента ITO - Si, отримане в растровому електронному мікроскопі в режимі струму, наведеногоелектронним пучком. Полікристалічні шари Si виготовлені методом зонної очистки за способом Монсанто. Під оптичним мікроскопом ця ділянка виглядає безструктурним. При травленні виявляються ямки травлення, яким на мікрофотографії відповідають темні точки наділянці В. Поява чорних крапок обумовлено наявністю електрично активних дислокацій в міжкристалітної області. Довга сторона фотографії відповідає довжині мм на зразку[фото с разрешения Inoue N Wilmsen С. W Jones К. A. //Solar ( oIK. 1981, vol. 3 ]. Через велику концентрацію дефектів і сегрегованих домішок на кордоні зерен інаявності локальних електричних полів, збирають неосновні носії, межзеренное кордону є областями підвищеної рекомбінації. Зниження значень основних характеристик сонячного елемента Jsc, Voc і //за рахунок рекомбінації на цих кордонах сильно залежить відрозміру кристалітів в полікристалічних шарах. На фотографії, отриманої в режимі наведеного струму, електрично активні границі зерен виглядають темними.

Pекомбінірующіе електрони і дірки частина енергії отримують за рахунок доданої до р - n - переходуелектричного поля, решту енергію вони набувають у результаті теплового розігріву, що приводить до охолоджування області рекомбінації.

Схема іонізаційної камери. На ділянці від 0 до UA величина іонізаційного струму при якомусь постійному значенні інтенсивностівипромінювання пропорційна величині прикладеної напруги. Ця область називається областю посиленою рекомбінації, або областю, підлеглою закону Ома. Тут число пар іонів, що буря струмом з газу, мало в порівнянні з числом рекомбінують іонів. Нахилхарактеристики на цій ділянці обумовлений тиском в камері.

Потенційні діаграми бездрейфового транзистора p - n - р тша за відсутності (а і наявності (б зовнішнього електричного поля. Електронна складова емітерного струму незначна, так як концентраціяелектронів в базовій області зазвичай значно нижче концентрації дірок в емітерний області. При достатньо тонкій базі область рекомбінації мала і базовий струм складає I - т - 5% від емітерного струму.

Встановлення рівноважного стану на р n - переході. авиникнення контакту між п - і р-областями. б-дифузія електронів в /- область, а дірок в л-область з утворенням області позитивного об'ємного заряду в і-області і негативного в /- області. - Рекомбінація електронів і дірок в області об'ємного заряду.виникнення в результаті рекомбінації шару, збідненого рухливими носіями заряду, і досягнення рівноваги. З глибини - області має підійти поповнення, щоб компенсувати дефіцит електронів, викликаний рекомбінацією. Протягом однієї секунди в областьрекомбінації надходить стільки дірок і електронів, скільки рекомбінує там за той же час. Все сказане про дірках, що надійшли з /- області в - область, справедливо у відношенні електронів, які перейшли з - області в /- область. Вони рекомбінують з дірками в - області. Впідсумку встановлюється результуючий струм, який є струмом рекомбінації, оскільки сила струму визначається швидкістю рекомбінації електронів і дірок. Pекомбінація протікає порівняно швидко, так як для цього не потрібна енергія; навпаки, енергія може бути навітьвіддана. Тому струм рекомбінації є відносно сильним.

Штрихами відзначені ті ж величини, але для негенерірующіх частин області рекомбінації діода. Величина ц дорівнює відношенню різниці електронних струмів в я - і р-областях на значній відстані від р - n- Переходу до повного току через діод. Лазерні діоди мають високу концентрацію легуючих домішок (1018 - 1020 см-3), тому т) 1 і надалі значення т) покладається рівним одиниці. Інтегрування (20.3) проводиться по генеруючої та негенерірующей частинам діода.

Залежності коефіцієнтів передачі струму в латеральному р - л-р-транзнсторе від параметрів структури (а і режиму (б. Вплив поверхні на величину рр стає помітним лише при швидкостях поверхневої рекомбінації, що перевищують 103 см /с. При збільшенні рівня інжекціїдірки заливають кордон епітаксійних плівка - прихований шар і проникають в область підвищеної рекомбінації, що призводить до спаду рр.

У цих роботі три рекомбіні-ючий атома розглядаються як члени канонічного ансамблю. Обсяг фазового простору, в якомуможуть знаходитися ці три частинки, можна розділити на дві області: область рекомбінації, в якій два атоми рекомбінують в присутності третього, і вільну область, в якій всі три атома співіснують незалежно. Завдання полягає в наступному: якщо в нульовий моментчасу три атоми знаходяться у вільному області, то яка ймовірність того, що після закінчення деякого часу частинки будуть знаходитися в області рекомбінації фазового простору. Оскільки траєкторії трьох атомів являють собою лінію у фазовому просторі,швидкість реакції можна представити як число траєкторій, які з вільної області входять в область рекомбінації.

Для всіх подібних систем характерна низька ефективність випромінювання, особливо при кімнатній температурі. На думку авторів згаданих робіт, цепов'язано з рекомбінаційних втратами на межі розділу фаз в гетероструктурі і екстракцією основних носіїв з області ізлучателиюй рекомбінації.

При струмах нижче порогового ближнє поле спонтанного випромінювання у всіх діодах однорідно. З початком генерації вобласті р - n - переходу виникає одна чи кілька генеруючих точок, інтенсивність випромінювання яких помітно перевищує інтенсивність люмінесценції в решті частини області рекомбінації.

У цих роботі три рекомбіні-ючий атома розглядаються як члениканонічного ансамблю. Обсяг фазового простору, в якому можуть знаходитися ці три частинки, можна розділити на дві області: область рекомбінації, в якій два атоми рекомбінують в присутності третього, і вільну область, в якій всі три атома співіснуютьнезалежно. Завдання полягає в наступному: якщо в нульовий момент часу три атоми знаходяться у вільному області, то яка ймовірність того, що після закінчення деякого часу частинки будуть знаходитися в області рекомбінації фазового простору. Оскільки траєкторіїтрьох атомів являють собою лінію у фазовому просторі, швидкість реакції можна представити як число траєкторій, які з вільної області входять в область рекомбінації.

Схеми лазерних гетероструктур на основі твердих розчинів A4As і GaAs (Xi, кг, Хз - значеннях у формулі Al Gai - As, причому зазвичай х х2х3. а - простий р-я-гетероперехід. б - одностороння гетеро-структура з р-я-переходом в матеріалі х2 і р-р-гетеропереходів, що створює потенційний бар'єр для інжектіруемих електронів. б - двобічна гетероструктура з р-р - і р-я-гетеропереходів. г - двостороння гетероструктура з р - переходом в матеріалі х2 і двома. Цо порівнянні з простими р - n - переходами гетерострукту-ри, особливо подвійні, володіють двома важливими перевагами, які забезпечують більш низький поріг генерації при кімнатній температурі. Тому інжектованих в активну область носії знаходяться в потенційній ямі. Потенційні бар'єри гетеропереходів перешкоджають розтіканню області рекомбінації за межі активного шару. По-друге, гетероструктури володіють значно кращими хвилеводними властивостями, ніж активний шар р - переходу.

У цих роботі три рекомбіні-ючий атома розглядаються як члени канонічного ансамблю. Обсяг фазового простору, в якому можуть знаходитися ці три частинки, можна розділити на дві області: область рекомбінації, в якій два атоми рекомбінують в присутності третього, і вільну область, в якій всі три атома співіснують незалежно. Завдання полягає в наступному: якщо в нульовий момент часу три атоми знаходяться у вільному області, то яка ймовірність того, що після закінчення деякого часу частинки будуть знаходитися в області рекомбінації фазового простору. Оскільки траєкторії трьох атомів являють собою лінію у фазовому просторі, швидкість реакції можна представити як число траєкторій, які з вільної області входять в область рекомбінації.

Відповідно до неї область замороженого течії замінюється областю, в якій розглядається тільки процес рекомбінації. Модель рівноважної рекомбінації дає гарні результати при розрахунку нерівноважних течій газових сумішей з компонентами, концентрації яких прагнуть до нуля далеко вниз по потоку. Ченг і Лі[376]показали, що у випадку плину газу зі значним ступенем дисоціації є достатньо обширна перехідна область від перебігу майже рівноважного до течії з визначальною роллю процесів рекомбінації. Область переходу можна розділити на дві зони. Зона течії, яка примикає до рівноважної області течії, характеризується невеликим відхиленням від стану рівноваги. За нею слідує вузька зона переходу в область рекомбінації. У разі течії з незначним ступенем дисоціації, за даними авторів роботи[376], Перехідна область має невеликі розміри.